碳化硅陶瓷是一種以碳化硅(SiC)為主要成分的高性能陶瓷材料,具有高硬度(莫氏硬度約9.5)、優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性(可長期使用于1600℃以上環(huán)境)、低熱膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率(約120-200 W/m·K)以及出色的耐化學(xué)腐蝕和抗磨損性能。其制備工藝包括反應(yīng)燒結(jié)、無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)等方法,通過控制工藝參數(shù)可制成致密或多孔結(jié)構(gòu)。碳化硅陶瓷廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體功率器件襯底、高溫窯爐部件、機械密封環(huán)、防彈裝甲、航空航天熱防護系統(tǒng)等領(lǐng)域,尤其在新能源、電子電力等高端產(chǎn)業(yè)中,因其耐高溫、耐高壓和高熱導(dǎo)特性,成為替代傳統(tǒng)材料的關(guān)鍵選擇。
碳化硅陶瓷的·綜合性能在極端環(huán)境下表現(xiàn)尤為突出:
物理性能
碳化硅陶瓷硬度極高(莫氏硬度9.5,顯微硬度2200-3000 HV),僅次于金剛石和立方氮化硼,耐磨性遠超傳統(tǒng)金屬;其熱導(dǎo)率可達120-200 W/(m·K),接近鋁合金,且熱膨脹系數(shù)低(4×10??/K),在高溫驟變環(huán)境下抗熱震性優(yōu)異,可耐受1600℃以上長期使用,短時極限溫度達2200℃。
化學(xué)性能
在強酸(濃硫酸、氫氟酸除外)、強堿及熔融金屬(如鋁、銅)中表現(xiàn)出**的耐腐蝕性,高溫氧化環(huán)境下表面生成致密SiO?保護層,抗氧化溫度可達1700℃以上,化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)于氧化鋁和氮化硅陶瓷。
電學(xué)與機械性能
作為第三代半導(dǎo)體核心材料,其寬帶隙(3.26 eV)、高擊穿場強(3 MV/cm)及高電子遷移率(900 cm2/(V·s))使其在高壓、高頻、高溫電子器件(如電動汽車逆變器)中顯著降低能耗;機械性能上,抗彎強度300-600 MPa,彈性模量高達400-450 GPa,密度僅為3.1-3.3 g/cm3,兼具輕量化與高剛性,且抗蠕變能力突出,在1600℃下仍保持高強度。
應(yīng)用特性
在航空航天熱防護、核反應(yīng)堆包殼、高精度軸承及超硬磨具等領(lǐng)域不可替代,被譽為“極端工況材料之王”。

